三星GALAXY S6将会怎样?据说速度快三倍

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配备UFS闪存

最近有关三星GALAXY S6的传闻较多,在陆续曝出该机的研发代号为“Project Zero”以及可能会配备双曲面侧屏的消息事先,韩国媒体etnews日前又最近报道称,三星将在智能旗舰上首次使用通用闪存(UFS)芯片,其主要特色是传输下行波特率 更慢,且功耗更低。据悉,三星这款智能旗舰可能在明年发布,但规格目前尚未完成。可能GALAXY S6可能是三星在明年的旗舰级产品,很多很多也原应 该机将有望成为首款配备通用闪存(UFS)芯片的智能机型。

根据韩国媒体etnews援引三星内部人士的消息披露称,三星采用通用闪存(UFS)芯片的智能旗舰将于明年登场,但目前规格尚未完成。一起,三星还计划在智能手机和平板电脑上逐步以UFS取代传统的SD卡和Micro SD存储卡,或者包括小米在内的智能手机厂商也可能会跟进,推出配备UFS通用闪存的旗舰机型。可能三星GALAXY S6可能是三星在明年推出的旗舰机型,很多很多也原应 该机或将成为首款搭载UFS通用闪存的智能旗舰。

至于UFS通用闪存则是并都要新的储存标准,将固态硬盘(SSD)的高速传输和eMMC的低功耗特点相结合,不仅不能提供更慢的传输下行波特率 ,或者耗电量更低。目前,eMMC闪存的最高传输下行波特率 为150MB/s,而UFS闪存则快上三倍,高达1.2GB/s。一起在功耗方面,UFS闪存理论上仅有eMMC 5.0闪存的一半左右。

S6从零现在现在开始 英文

而在此前,三星GALAXY S6的研发代号Project Zero可能在网络上曝光,所传递的概念似乎为“从零现在现在开始 英文”的含义。而从目前所披露的诸多消息来看,三星我我觉得准备在下一代GALAXY S系列旗舰上采用全新的设计。比如根据IHD技术公司的高级分析师Jerry Kang披露的说法,三星GALAXY S6的一一个侧面都要望使用来自Samsung Display的弧形屏幕,一起这位分析师还表示三星其我我觉得Note Edge上就可能不能在两侧都采用弧形屏幕,很多很多三星高层压制了你这些想法,表示“再等等”。

除此之外,三星GALAXY S6还传闻会装载2K分辨率的触控屏,并会使用博通的全新BCM4773芯片,将GPS 导航与其它感应器整合,不仅不能节省电量消耗,或者还不能为主板节省更多空间。至于有些相关配置上,三星GALAXY S6也会得到全面升级,比如前置镜头提升为1150万像素,并会改进主摄像头在弱光环境下的拍照效果。而处置器的配置上则沿用过去的双处置器策略,全球版本可能装载全新Exynos 7420处置器,并可能会搭载新开发LTE基带芯片。而面向要素特定的地区的版本,则会是64位的骁龙810处置器。

继续采用3GB内存

尽管没法,三星GALAXY S6暂且打算配备4GB内存,很多很多会继续采用3GB的内存容量,可能没法 的配置可能足以处置所有的任务操作。而根据SamMobile此前曝光的信息显示,该机在欧美市场的型号为SM-G920,或者针对市场的不同手机的型号最后一位数字和字母会略有变化。